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深圳市惠新晨电子有限公司
型号:HC012N06L2参数：60V50A ，类型：N沟道场效应管，内阻14mR， 超低结电容1100pF，封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，超低结电容,低开启电压，
HC012N06L2采用最的SGT工艺，超结MOS管，超低电容 、超低内阻，超高性能，超高性价比，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
HC012N06L2优势替代HY1606D，替代HY1403D，替代HY1906D,替代NCE4060K 替代NCE3050K 替代CJU60N04 CJU50N06 CJU50N03 ME50N06 替代DTU50N06 替代IRF50N06，替代IRFR3707Z 替代NCE6050K
HC012N06L2广泛应用于LED驱动电源、LED汽车大灯驱动电源、舞台灯光、帕灯控制板等产品，超高性价比
在客户正式量产订货前公司可免费提供样品测试及技术支持
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公司库存实力展示：
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
更多型号如下：
型号：HC240N10LS N沟道场效应管，丝印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封装，内阻200mR
型号：HC160N10LS N沟道场效应管 丝印HC510 100V5A (5N10)SOT23-3封装，内阻155mR，可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号：HC610 N沟道场效应管 100V6A 6N10 SOT23-3L 内阻80mR
型号：HC160N10L N沟道场效应管 100V10A(10N10) TO-252封装，内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等
型号：HC080N10L N沟道场效应管 100V17A(17N10)TO-252封装， 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等
型号：HC021N10L N沟道场效应管 100V35A (35N10)TO-252封装 内阻22mR，可用于工控电源
型号：HC080N10LS N沟道场效应管 100V15A SOP-8封装 内阻68mR
型号：HC15N10 N沟道场效应管 100V15A(15N10)TO-252封装， 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等
型号：HC012N06L2 N沟道场效应管 60V50A 50N06 TO-252封装 内阻14毫欧 超结MOS管SGT工艺
型号：HC012N06L N沟道场效应管 60V50A(50N06 )TO-252封装， 内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等
型号：HC012N06LS2 N沟道场效应管 60V12A 50N06 TO-252封装 内阻14毫欧 超结MOS管SGT工艺
型号：HC012N06LS N沟道场效应管 55V12A SOP-8封装 内阻13mR
型号：HC037N06L N沟道场效应管 60V30A(30N06)TO-252封装， 内阻30mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪
型号：HC037N06LS N沟道场效应管 60V30A SOP-8封装 内阻30mR
型号：HC080N06L N沟道场效应管 60V17A 15N06 TO-252封装， 内阻70mR
型号：HC080N06LS N沟道场效应管 丝印HC606 60V6A SOT23-3封封装 内阻90mR
型号：HC706 N沟道场效应管 60V7A SOP-8封装 内阻80mR
型号：HC020N03L N沟道场效应管 30V30A TO-252 内阻20mR
型号：HC3600M N沟道场效应管 30V8A SOT23-3封装 内阻22mR
型号：HC3400M N沟道场效应管 30V5.8A SOT23-3封装 内阻30mR
惠新晨电子专业中低压MOS管行业10年，经验丰富，实力雄厚，技术支持，可以做月结30天，惠新晨电子是您值得信赖合作的实力中低压MOS场效应管供应商
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