参数:30V8A
内阻:22mR
结电容:445pF
类型:N沟道场效应管,内阻12mR
文章链接:安防展览网 //www.afzhan.com/company_news/detail/297511.html
类型:N沟道场效应管文章链接:安防展览网 //www.afzhan.com/company_news/detail/297511.html
开启电压:1.6V
封装:SOT23-3
特点:低开启电压、低内阻、结电容小、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强
可用于电脑主板、蓝牙音箱、电子烟、大电流RGB灯带调光、LED车灯、手机无线充、逆变系统等
HC3600M 一盘3000,品质保证,货源充足,量大价格实惠
东莞惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管