30V45A低内阻DFN3*3沟槽型NMOS HC3039D

产品型号：HC3039D

参数：30V25A

内阻：12.5mR

结电容：459pF

类型：N沟道场效应管

开启电压：1.8V

封装：DFN3333

特点：小体积、散热好、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强

应用于车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去频闪、LED升降压照明、太阳能电源等

惠海半导体 HC3039D 25N03 DFN3*3 25A 30V MOS管 N沟道 沟槽工艺 性能优越

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