产品型号:HC1006D
参数:100V30A
内阻:22mR
结电容:2100pF
类型:N沟道场效应管,内阻12mR
文章链接:安防展览网 //www.afzhan.com/company_news/detail/297511.html
类型:N沟道场效应管文章链接:安防展览网 //www.afzhan.com/company_news/detail/297511.html
开启电压:1.8V
封装:DFN3333
特点:小体积、散热好、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强
应用于车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去频闪、LED升降压照明、太阳能电源等
东莞市惠海半导体有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压N沟道场效应管 NMOS管 ,,性能优越
东莞市惠海半导体有限公司专业20-150V系列中低压NMOS管场效应管封装制造、研发、生产、销售
主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装